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bms mos,40v130a参数 低内阻,KND2904A场效应管-KIA MOS管
bms专用mos管?KND2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；低跨导、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，稳定可靠，广泛用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域，封装形...www.kiaic.com/article/detail/5636.html 2025-04-25
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双电源电路原理图,可调双电源电路分享-KIA MOS管
为了确保无闩锁操作，电路会自动感测器件中的最负电压，并确保N沟道开关源极-基板结不存在正向偏置。振荡器频率的标称频率为10kHz(VCC=5V)，但可以通过向振荡器（OSC）端子添加外部电容器来降低该频率，或者通过使用外部时钟过驱动OSC来提高该频率。www.kiaic.com/article/detail/5635.html 2025-04-25
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双mos管电路,负载开关电路-KIA MOS管
为了实现两个电流方向的阻断，必须将两个MOSFET以相反的极性串联。如图，在这种情况下，如果不是两个FET都打开，那么其中总有一个体二极管可以阻断对向的电流。这种方法允许创建两种反向驱动保护负载开关的替代拓扑，背靠背连接漏极或源极，称为共漏极或共源极...www.kiaic.com/article/detail/5634.html 2025-04-25
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bms电池管理,230a60v,KNP1906A场效应管参数-KIA MOS管
KNP1906A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流230A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、高雪崩电流，性能稳定可靠、环保无铅；广泛应用于UPS、电源、电池管理系统等；封装形式：TO-220。www.kiaic.com/article/detail/5633.html 2025-04-24
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负载开关电路,MOSFET负载开关,电路原理图-KIA MOS管
如图所示，负载接在电源与漏极之间。在其栅极上加一个逻辑高电平，则N-MOSFET导通，负载得电；在其栅极加一个逻辑低电平，则N-MOSFET关断，负载失电。www.kiaic.com/article/detail/5632.html 2025-04-24
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自激电路原理,MOS管自激电路图详解-KIA MOS管
当开关S1闭合时，继电器的线圈通电，电源+V经过电感L1，向N1 N2（变压器）的中抽头进行供电，此外，电流还会C1和R2（电阻）流向N3、N4的中抽头。www.kiaic.com/article/detail/5631.html 2025-04-24
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负载开关mos开关,40v130a场效应管,KNB2904A参数-KIA MOS管
KNB2904A场效应管参数性能优越，具有优异的RDSON和栅极电荷；漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；低跨导、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，稳定可靠，适用于PWM应用、...www.kiaic.com/article/detail/5630.html 2025-04-23
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自激式开关电源电路,单管自激电路图分享-KIA MOS管
接通电源后，220V市电电压经VD503～VD506整流、C507滤波，在滤波电容C507两端得到近300V直流电压，通过开关变压器T511的3-7绕组加到开关管VT513的集电极。www.kiaic.com/article/detail/5629.html 2025-04-23
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三级放大器,三级放大电路原理图-KIA MOS管
通过级联多个放大器，每个放大器的增益都比前一个放大器大，从而实现对输入信号的放大。每个放大器的输出信号经过滤波和校正后，再输入到下一个放大器进行放大。最后，经过输出级的放大，信号达到所需的输出幅度。www.kiaic.com/article/detail/5628.html 2025-04-23
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MOS管,场效应管是什么控制型器件？-KIA MOS管
场效应管是一种电压控制型器件，通过栅源电压（VGS）来控制漏极电流（ID），具有高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度和大电压/电流能力等特点。www.kiaic.com/article/detail/5521.html 2025-04-22
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mos管三个引脚gsd,mos管gsd区分-KIA MOS管
许多MOS管在管壳表面上有标记或标识，标明了各个电极的名称；在电路图中，MOS管的电极通常会用特定的符号表示，G极通常用一个圆圈表示，S极用一个小圆圈表示，D极则用一个小圆点表示；www.kiaic.com/article/detail/5523.html 2025-04-22
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28n50mos,28a500v场效应管,TO-3P,KIA28N50HH参数-KIA MOS管
KIA28N50HH场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0.16mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；低栅极电荷、低Crss、改进的dv/dt能力，实现快速切换；经过100%雪崩测试、符合RoHS，稳定可靠；良好的开关特性，能够承受较大...www.kiaic.com/article/detail/5525.html 2025-04-22
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2803mos管,2803场效应管,30v150a,KNY2803A参数-KIA MOS管
KNY2803A场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导通损耗；低栅极电荷、改进的dv/dt能力、快速切换、100%雪崩测试和改进的重复雪崩额定值，高效稳定；无铅，符合RoHS标准，环保可靠；...www.kiaic.com/article/detail/5531.html 2025-04-22
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30v150a场效应管,2803mos管,TO-220,KNP2803S参数规格书-KIA MOS管
KNP2803S场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导通损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、?改进的dv/dt能力、快速切换、100%雪崩测试和改进的重复雪崩额定值，高效稳定；无铅，符合R...www.kiaic.com/article/detail/5534.html 2025-04-22